電子元器件檢測-檢測機(jī)構(gòu)藍(lán)亞技術(shù)

2022-06-14 ? Orange

電子元器件檢測依據(jù)GB/T2423.11電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)、GB/T17574半導(dǎo)體器件集成電路測試等標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行相關(guān)振動(dòng)檢測、恒溫恒濕、沖擊測試、壽命測試等項(xiàng)目。

產(chǎn)品范圍包括：

信號放大器接收器，電容器，轉(zhuǎn)接頭，電源線，轉(zhuǎn)換器，數(shù)據(jù)連接線，網(wǎng)線電路板，電阻，三極管，連接器，二極管等需要進(jìn)行檢測。

電子元器件檢測標(biāo)準(zhǔn)：

GJB360B電子及電氣元件試驗(yàn)方法溫度沖擊試驗(yàn)；

GB/T2423.11電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fd：寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)一般要求；

GJB360A電子及電氣元件試驗(yàn)方法；

GJB1420A半導(dǎo)體集成電路外殼總規(guī)范；

GJB128A半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法；

GJB3157半導(dǎo)體分立器件失效分析方法和程序；

GJB3233半導(dǎo)體集成電路失效分析程序和方法；

GJB548A微電子器件試驗(yàn)方法和程序；

GJB548B微電子器件試驗(yàn)方法和程序；

GJB5914各種質(zhì)量等級軍用半導(dǎo)體器件破壞性物理分析方法；

GJB128A半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方發(fā)方法1071密封；

GB/T17574半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路；

GJB597A半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范；

GB/T6798半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理；

GB/T4587半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管；

GB/T4586半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場效應(yīng)晶體管；

GB/T4023半導(dǎo)體器件：分立器件和集成電路第2部分:整流二極管；

GB/T2693電子設(shè)備用固定電容器部分：總規(guī)范；

GB/T5729電子設(shè)備用固定電阻器部分：總規(guī)范；

GJB1217A電連接器試驗(yàn)方法等。

電子元器件檢測-檢測機(jī)構(gòu)藍(lán)亞技術(shù)(圖1)

電子元器件檢測項(xiàng)目：

1、機(jī)械完整性試驗(yàn)項(xiàng)目

1.機(jī)械沖擊:確定光電子器件是否能適用在需經(jīng)受中等嚴(yán)酷程度沖擊的電子設(shè)備中。沖擊可能是裝卸、運(yùn)輸或現(xiàn)場使用過程中突然受力或劇烈振動(dòng)所產(chǎn)生的。

2.變頻振動(dòng):確定在規(guī)范頻率范圍內(nèi)振動(dòng)對光電子器件各部件的影響。

3.熱沖擊:確定光電子器件在遭受到溫度劇變時(shí)的抵抗能力和產(chǎn)生的作用。

4.插拔耐久性:確定光電子器件光纖連接器的插入和拔出,光功率、損耗和反射等參數(shù)是否滿足重復(fù)性要求。

5.存儲(chǔ)試驗(yàn):確定光電子器件能否經(jīng)受高溫和低溫下運(yùn)輸和儲(chǔ)存。

6.溫度循環(huán):確定光電子器件承受極高溫度和極低溫度的能力,以及極高溫度和極低溫度交替變化對光電子器件的影響。

7.恒定濕熱:確定密封和非密封光電子器件能否同時(shí)承受規(guī)定的溫度和濕度。

8.高溫壽命:確定光電子器件高溫加速老化失效機(jī)理和工作壽命。

2、加速老化試驗(yàn)：

在光電子器件上施加高溫、高濕和一定的驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行加速老化。依據(jù)試驗(yàn)的結(jié)果來判定光電子器件具備功能和喪失功能，以及接收和拒收,并可對光電子器件工作條件進(jìn)行調(diào)整和對可靠性進(jìn)行計(jì)算。

1.高溫加速老化:加速老化過程中的最基本環(huán)境應(yīng)力式高溫。在實(shí)驗(yàn)過程中，應(yīng)定期監(jiān)測選定的參數(shù)，直到退化超過壽命終止為止。

2.恒溫試驗(yàn):恒溫試驗(yàn)與高溫運(yùn)行試驗(yàn)類似，應(yīng)規(guī)定恒溫試驗(yàn)樣品數(shù)量和允許失效數(shù)。

3.變溫試驗(yàn):變化溫度的高溫加速老化試驗(yàn)是定期按順序逐步升高溫度(例如，60°C、85°C和100°C)

4.溫度循環(huán):除了作為環(huán)境應(yīng)力試驗(yàn)需要對光電子器件進(jìn)行溫度循環(huán)外，溫度循環(huán)還可以對管電子器件進(jìn)行加速老化。溫度循環(huán)的加速老化目的一般不是為了引起特定的性能參數(shù)的退化，而是為了提供封裝在組件里的光路長期機(jī)械穩(wěn)定性的附加說明。

3、物理特性測試項(xiàng)目：

1.內(nèi)部水汽:確定在金屬或陶瓷封裝的光電子器件內(nèi)部氣體中水汽含量。

2.密封性:確定具有內(nèi)空腔的光電子器件封裝的氣密性。

3.ESD闊值:確定光電子器件受靜電放電作用所造成損傷和退化的靈敏度和敏感性。

4.可燃性:確定光電子器件所使用材料的可燃性。

5.剪切力:確定光電子器件的芯片和無源器件安裝在管座或其他基片上使用材料和工藝的完整性。

6.可焊性:確定需要焊接的光電子器件引線(直徑小于30175mm的引|線，以及截面積相當(dāng)?shù)谋馄揭€)的可焊性。

7.引線鍵合強(qiáng)度:確定光電子器件采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊等技術(shù)的引線鍵合強(qiáng)度。